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新增8纳米LPU!三星更新技术线路图,更多黑科技

2019-09-28 09:49

原标题:新增8纳米LPU!三星更新技术线路图,更多黑科技被曝光

台积电率先量产7nm+工艺后,再出新动作。

日前,三星在日本举办了三星铸造工厂论坛2018年会,在会上公布了多项制程工艺技术,让人耳目一新。

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在会上三星透露,7纳米工艺会在接下来的几个季度内大规模量产,同时三星将会引入8纳米 LPU工艺,最后是三星已经针对3纳米工艺进行布局,将会使用一种全新的GAAFET技术来实现3纳米制程工艺。

日前,台积电官方宣布,正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。

三星表示,已经在韩国的工厂中配备了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻机,价值6万亿韩元的EUV产线也预计2019年竣工,将会在2020年开足马力全力生产。

不过台积电方面并没有给出2nm工艺所需要的技术和材料,看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化。但是按照台积电给出的指标,2nm工艺是一个重要节点,Metal Track和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch缩小到30nm,Metal Pitch缩小到20nm。也就是说,2nm制程相比于3nm要小了23%。

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值得注意的是,因为此前三星的7纳米工艺跳票,所以高通的下代旗舰芯片将会由台积电进行代工,让三星损失惨重。不过三星表示高通的5G SoC(并非骁龙855)将会由三星负责代工,但这也是后话了。

能在硅半导体工艺上继续精深到如此地步堪称奇迹。当然,在量产2nm之前,台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。其中,7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术,目前已经投入量产;6nm只是7nm的一个升级版,明年第一季度试产;5nm全面导入极紫外光刻,已经开始风险性试产,明年底之前量产,苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。

8纳米LPU工艺的到来或许会让人感到意外,三星表示这是8纳米LPP工艺的改良版,这时候推出新工艺是为了填补7纳米工艺大规模量产之前的空窗期,而高通也会是8纳米LPU工艺的客户之一,估计未来的6系列和7系列芯片会使用这一制程工艺。

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在三星的计划表中,已经确定将会在2019年利用FinFET技术,对5纳米和4纳米工艺进行风险试产。但由于到了3纳米工艺的时候,FinFET技术已经无法满足需要,所以将会转用新研发的GAAFET技术方案,3纳米工艺将会在2020年进行试产。

台积电数十年纳米工艺研发路

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在半导体行业,谁能够率先突破半导体工艺制造的瓶颈,谁就能迅速占领市场。而台积电,尽管不自己设计芯片,但是却凭借着先进的制程工艺,依旧跻身于世界芯片巨头的阵营。有了先进的制程工艺,那么芯片自然就能设计的更加复杂,芯片性能得到进一步提升的同时,功耗也会更低。

根据摩尔定律,半导体行业的集成度不断飞升,但到了现在已经进入了瓶颈期。如果在材料和技术方面无法取得突破,那么制程工艺在长时间内很可能会止步不前。

不得不说,作为晶圆代工产业的开拓者,台积电变革了整个产业。

说个题外话,虽然三星的工艺已经开始向3纳米探索,但英特尔的芯片工艺却依然停留在10纳米。话虽如此,同样是10纳米工艺,英特尔芯片的集成度几乎是三星的一倍,所以能效也领先许多。返回搜狐,查看更多

2008年台积电完成了40nm工艺产品交付,首次展示了其32nm代工技术。台积电也成为全球首个宣布28nm为全工艺节点的代工厂。

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2009年,台积电实现了40nm量产和28nm的开发,并且开始在20nm上部署研发以确保代工上的领先优势。

2012年,台积电20nm FinFET产线正在建设中,已经开始接受客户20nm工艺的试产,16nm进入定义和研发阶段。

2013年,引入FinFET,开始了10nm工艺的研发。

2014年,7nm技术进入了高级开发阶段。

2016年,10nm成功量产了客户产品,7nm完成了技术认证。

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